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走进深圳立昇公司_中国膜工业高端品牌视频活动
走进深圳立昇公司_中国膜工业高端品牌视频活动
本次视频采访活动于2009年10月15日10:00走进深圳立升公司，立升公司陈良刚董事长向我们介绍到立升企业自1992年成立以来，专注于超滤膜技术的开发、生产和推广应用，是一家集水处理科学技术研究、超滤设备制造、销售和服务为一体的高科技企业集团。
  1. 2009/10/30
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走进GE水处理集团_中国膜工业高端品牌视频活动
走进GE水处理集团_中国膜工业高端品牌视频活动
走进GE水处理集团_中国膜工业高端品牌视频采访活动.本次视频采访活动于2009年10月14日14:30走进GE水处理集团，GE水处理集团大中华区销售总监吴大伟先生接受了我们此次访谈。
  1. 2009/10/30
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走进美国陶氏公司_中国膜工业高端品牌视频活动
走进美国陶氏公司_中国膜工业高端品牌视频活动
本次视频采访活动于2009年10月14日15:00走进陶氏公司，由陶氏水处理及过程解决方案业务部大中华区商务总监王晓兰女士向我们介绍了陶氏在国内的发展历程、产品竞争力、本次展会的产品、在中国的市场运营情况。和我们分享了陶氏未来发展目标以及对中国膜工业发展的看法。
  1. 2009/10/30
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电视机的常用检修方法
电视机的常用检修方法
内容简介：1.直观检查法；2.电压测量法；3.电流测量法4.电阻的在路测量方法；5.晶体二极管的在路测量方法；6.晶体三极管的在路测量方法；7.替换法；8.并联法；9.干扰信号注入法；10.信号注入检测法；11.示波器检测法
  1. 2009/10/30
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一阶RC电路的暂态响应－上海交通大学电子实验中心多媒体课件
一阶RC电路的暂态响应－上海交通大学电子实验中心多媒体课件
实验目的 1 学习数字式贮存示波器的使用 2 用示波器观察一阶RC电路充放电时的曲线,记录波型 3 由实验曲线求取一阶电路的时间常数. 4 了解电路参数对充放电的过程的影响. 5 了解微分电路与积分电路的功能及电路时间常数的选择方法.
  1. 2009/10/29
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逆势高飞-第四届中国PAC应用高峰论坛OEM专场
逆势高飞-第四届中国PAC应用高峰论坛OEM专场
2009年9-10月，中国工控网（www.gongkong.com） 联袂国内主流PAC供应商（研华科技、泓格科技、NI、OPTO 22），举办“第四届中国PAC应用高峰论坛”。 演讲人: 研华科技自动化产品经理 蔡勤女士 演讲介绍：研华秉承“同一个开发工具，多样的系统平台”的设计理念，致力于提供基于PAC系统的开放式应用架构，持续帮助客户提升系统性能，降低成本。研华全新PAC—APAX-5000系统，无论应用于PAC核心控制还是基于嵌入式PC的HMI/SCADA系统，甚至多CPU一体化工作或双CPU热备系统，都将游刃有余！ 查看现场实况
  1. 2009/10/29
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[第41讲]扩展模块（1）
[第41讲]扩展模块（1）
本节重点讲解了扩展模块的应用，课堂上与学生互动，举例说明符合实际应用要求的简单编程方法及常出现的错误例程。
  1. 2009/10/29
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[第19讲]USB主从设备(2)
[第19讲]USB主从设备(2)
主机向设备循环发出GetDescriptor(Configuration)请求，以取得其全部配置信息（其个数由设备描述符bNumConfiguration字段指出），包括配置描述符、接口描述符、端点描述符以及各种设备类定义描述符和供应商自定义描述符等。
  1. 2009/10/28
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[第18讲]USB主从设备(1)
[第18讲]USB主从设备(1)
USB具有很多优点，例如即插即用，容易使用，方便携带，传输速度快，可扩展性强，标准统一，价格便宜等等。目前流行的USB设备有移动硬盘，数码相机，MP3，U盘，USB鼠标、键盘、游戏杆，USB MIDI键盘，USB摄相头，USB打印机，USB扫描仪，USB声卡，USB话筒，USB网卡，USB显示器，USB电话，具有USB口的各种仪表仪器等等，只要是能跟电脑打交道的，就基本上可以通过USB来实现，足见USB功能的强大。
  1. 2009/10/28
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[第17讲]NAND flash 读写
[第17讲]NAND flash 读写
NAND FLASH存储器件有非易失、容量大、功耗低、易擦除等特点，这里就涉及到FLASH的种类问题，NORFLASH和NANDFLASH区别在于：NOR的特点是芯片内执行，即应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。但是工艺复杂，价格比较贵。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，大存储容量，而且便宜。缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍。
  1. 2009/10/28
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