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[第39讲（上）]读/写指令功能介绍
[第39讲（上）]读/写指令功能介绍
本节重点讲解了读/写指令功能，课堂上与学生互动，举例说明符合实际应用要求的简单编程方法及常出现的错误例程。
  1. 2009/10/29
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[第17讲]NAND flash 读写
[第17讲]NAND flash 读写
NAND FLASH存储器件有非易失、容量大、功耗低、易擦除等特点，这里就涉及到FLASH的种类问题，NORFLASH和NANDFLASH区别在于：NOR的特点是芯片内执行，即应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。但是工艺复杂，价格比较贵。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，大存储容量，而且便宜。缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍。
  1. 2009/10/28
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[第38讲] 通信接线
[第38讲] 通信接线
本节重点讲解了通信接线知识，课堂上与学生互动，举例说明符合实际应用要求的简单编程方法及常出现的错误例程。
  1. 2009/10/27
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[第37讲] 变频器操作介绍2
[第37讲] 变频器操作介绍2
本节重点讲解了变频器操作介绍，课堂上与学生互动，举例说明符合实际应用要求的简单编程方法及常出现的错误例程。
  1. 2009/10/27
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[第36讲] 变频器操作介绍
[第36讲] 变频器操作介绍
本节重点讲解了变频器操作介绍，课堂上与学生互动，举例说明符合实际应用要求的简单编程方法及常出现的错误例程。
  1. 2009/10/27
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[第35讲(下)] 变频器操作模式
[第35讲(下)] 变频器操作模式
本节重点讲解了变频器操作模式，课堂上与学生互动，举例说明符合实际应用要求的简单编程方法及常出现的错误例程。
  1. 2009/10/27
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[第35讲(上)] 变频器基础介绍
[第35讲(上)] 变频器基础介绍
本节重点讲解了 变频器基础介绍，课堂上与学生互动，举例说明符合实际应用要求的简单编程方法及常出现的错误例程。
  1. 2009/10/27
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[第10讲]ARM启动代码的分析(5)
[第10讲]ARM启动代码的分析(5)
这主要通过设置13 个从1c80000(BWSCON)开始的特殊寄存器来设置. 0x1c80000为特殊寄存器的首地址. BWSCON(0x1c80000): 配置总线宽度 data Bus Width :8-bit,16-bit, 32-bit BANKCON0-7(0x1c80004-0x1c80020): 访问周期[10:8] Access cycle 存储器的类型[16:15](Bank6,Bank7) 定时Trcd的控制信号
  1. 2009/10/27
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[第9讲]ARM启动代码的分析(4)
[第9讲]ARM启动代码的分析(4)
这主要通过设置13 个从1c80000(BWSCON)开始的特殊寄存器来设置. 0x1c80000为特殊寄存器的首地址. BWSCON(0x1c80000): 配置总线宽度 data Bus Width :8-bit,16-bit, 32-bit BANKCON0-7(0x1c80004-0x1c80020): 访问周期[10:8] Access cycle 存储器的类型[16:15](Bank6,Bank7) 定时Trcd的控制信号
  1. 2009/10/27
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[第7讲]ARM启动代码的分析(2)
[第7讲]ARM启动代码的分析(2)
学习ARM，都不可避免地要了解系统引导，引导程序是系统加电后运行的第一段软件代码，本章將以S3C44B0X为目标来分析引导程序
  1. 2009/10/27
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